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立式扩散炉

立式扩散炉

主要用于集成电路、功率器件、MEMS、VCSEL等半导体器件的生产制造，主要功能在晶圆上进行扩散、氧化、退火等工艺，实现杂质的精确掺杂，构建晶体管、电阻、电容等元件，如制造28nm及以上节点的集成电路。

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扩散炉

扩散炉

主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件的掺杂、氧化、退火、合金及烧结等工艺，控制半导体材料的杂质分布与电特性;同时支持光电器件的热扩散、氧化工艺和高校及科研机构的微电子工艺实验教学，如热氧化、热扩散等课程设计。

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法拉第旋光片液相外延炉

法拉第旋光片液相外延炉

液相外延（LPE）设备作为精密晶体生长专用装备，采用液相结晶成型技术，可高效完成法拉第旋光片外延层制备，适配 BIG、YIG、RIG、TGG、TSAG 等主流磁光单晶材料生长制备，广泛应用于各类高端光电子器件研制与量产环节，属于行业核心刚需工艺设备。

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低压气相沉积LPCVD

低压气相沉积LPCVD

主要用于在低压环境下通过化学反应在晶圆表面沉积高质量薄膜，可沉积多晶硅(Poly-Si)、TEOS工艺、氮化硅(Si3N4)工艺、低应力氮化硅工艺、氧化硅(SiO2)工艺、BPSG工艺、LTO工艺、HTO工艺、SIPOS工艺、BSG工艺、PSG等工艺

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区熔炉

区熔炉

应用于半导体稀有金属提纯，如锗(Ge)、锑(Sb)、铋(Bi)等，区熔炉可利用杂质在固相和液相中溶解度的差异，通过多次区熔，将杂质集中在材料的特定区域，从而实现稀有金属的提纯。提纯后的稀有金属可用于制造特殊合金、半导体电子器件以及化工催化剂等。

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真空蒸馏炉

真空蒸馏炉

真空蒸馏炉主要应用于锑、碲、镉及其他各类单质金属物料的提纯精制，借助真空密闭环境下的分馏蒸馏原理，有效分离剔除有害杂质，是高纯金属材料制备的核心专用设备

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铌酸锂液相外延炉

铌酸锂液相外延炉

铌酸锂液相外延炉专为铌酸锂基薄膜外延生长研发打造，依托液相外延工艺实现高质量单晶外延层精准制备，可完成铌酸锂衬底外延膜层沉积、改性层生长等核心工序，广泛应用于高速光调制器、光滤波器、光波导、集成光子芯片等高端光电子元器件研制生产，同时适配各类铌酸锂基光电功能晶体材料的制备加工，是铌酸锂光电产业核心工艺装备

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合金炉

合金炉

串级温控系统，恒温区高精度；具有高抗干扰能力；具有多种工艺管路，可供用户随意灵活配置；支持SECS/GEM通信。

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退火炉

退火炉

工艺曲线的自动运行控制功能；智能升降温斜率控制功能；可存储多组PID参数供系统运行调用功能；系统故障的检测与报警功能。

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真空合金炉

真空合金炉

炉体移动：自动控制（炉体具有移开腔室自动关门功能）；工作温度范围：300~1000℃；温度区：>300mm；温度区域精度：±1℃。

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