扩散炉
主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件的掺杂、氧化、退火、合金及烧结等工艺，控制半导体材料的杂质分布与电特性;同时支持光电器件的热扩散、氧化工艺和高校及科研机构的微电子工艺实验教学，如热氧化、热扩散等课程设计。
主要参数
● 适用晶圆尺寸：4-8英寸（兼容性设计）
● 工作温度范围：600-1300℃（最高可控升温至1300℃）
● 温度控制精度：±0.5℃
● 恒温区长度：300-1500mm
● 气体控MFC精度：±0.5% F.S，气路具备缓启动功能
● 推拉舟系统：速度范围为20至1000mm/min，精度为±1mm/min。
核心技术优势
全自动化控制
● 集成了 SECS/GEM 标准通信接口，可无缝对接工厂自动化系统，实现设备状态实时监控、远程参数调控以及生产数据的高效交互，为智能制造提供坚实保障。
● 采用工控机+PLC的集成控制系统，实现温度、气体流量、推拉舟的全自动控制，支持多工艺曲线存储与调用。
● 具备停电记忆功能，恢复后可继续运行，减少工艺中断损失。
高精度温控
● 控温精度：±0.5，单点温度稳定性±0.5℃/24 h。
● 支持串级控制和恒温区自动调整。
● 采用S/R型热电偶及冷端温度补偿技术，减少环境干扰。
安全性与可靠性
● 多重安全保护机制，包括超温报警、气体互锁、断偶报警及缓启动功能。
● 关键部件(如MFC气体流量计、碳化硅推拉舟)采用进口或高耐腐蚀材料，确保长期稳定运行。
灵活配置
● 支持1-4管系统，工艺管口径覆盖Ф100-400mm，适配不同生产需求。
● 可选手动或自动送片方式，净化台洁净度达100级(万级厂房环境)。
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