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半导体工艺设备

立式扩散炉

立式扩散炉

主要用于集成电路、功率器件、MEMS、VCSEL等半导体器件的生产制造，主要功能在晶圆上进行扩散、氧化、退火等工艺，实现杂质的精确掺杂，构建晶体管、电阻、电容等元件，如制造28nm及以上节点的集成电路。

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扩散炉

扩散炉

主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件的掺杂、氧化、退火、合金及烧结等工艺，控制半导体材料的杂质分布与电特性;同时支持光电器件的热扩散、氧化工艺和高校及科研机构的微电子工艺实验教学，如热氧化、热扩散等课程设计。

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低压气相沉积LPCVD

低压气相沉积LPCVD

主要用于在低压环境下通过化学反应在晶圆表面沉积高质量薄膜，可沉积多晶硅(Poly-Si)、TEOS工艺、氮化硅(Si3N4)工艺、低应力氮化硅工艺、氧化硅(SiO2)工艺、BPSG工艺、LTO工艺、HTO工艺、SIPOS工艺、BSG工艺、PSG等工艺

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合金炉

合金炉

串级温控系统，恒温区高精度；具有高抗干扰能力；具有多种工艺管路，可供用户随意灵活配置；支持SECS/GEM通信。

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退火炉

退火炉

工艺曲线的自动运行控制功能；智能升降温斜率控制功能；可存储多组PID参数供系统运行调用功能；系统故障的检测与报警功能。

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真空合金炉

真空合金炉

炉体移动：自动控制（炉体具有移开腔室自动关门功能）；工作温度范围：300~1000℃；温度区：>300mm；温度区域精度：±1℃。

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无氧烘箱

无氧烘箱

无氧烘箱，半导体的无尘烘干等工艺。设备运行时，腔室内设定含量，系统根据腔室内的含氧量自动开启N2将腔室内的含氧量控制在设定范围内，防止材料在烘烤时被氧化。

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闭管软着陆扩散系统

闭管软着陆扩散系统

用于掺杂(如硼、磷扩散)、氧化、退火等工艺，采用先进的控制算法和精密的硬件设备能够实现对杂质扩散深度、浓度分布的高精度控制。相比传统扩散方法，其扩散精度更高，可重复性更好，从而提高产品的良品率和性能一致性。

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