铌酸锂液相外延炉
铌酸锂液相外延炉专为铌酸锂基薄膜外延生长研发打造，依托液相外延工艺实现高质量单晶外延层精准制备，可完成铌酸锂衬底外延膜层沉积、改性层生长等核心工序，广泛应用于高速光调制器、光滤波器、光波导、集成光子芯片等高端光电子元器件研制生产，同时适配各类铌酸锂基光电功能晶体材料的制备加工，是铌酸锂光电产业核心工艺装备
主要参数
● 温度：800-1250 ℃
● 温区数：5个
● 生长晶圆尺寸：2-6英寸
● 温度控制精度：±0.1℃
● 恒温区：>180mm
● 恒温区内上下两点之间的温差为±0.1℃。
● 坩埚转速：5-90rpm正反转控制，精度±0.5rpm
● 籽晶杆转速：10-1000rpm正反转控制，精度±0.5rpm
主要特点
● 自动化程度高，整个工艺流程由工业计算机自动控制完成。
● 具备镀膜程序定距外延、多次外延等功能。
● 具备工控机本地监视控制，也可以进行远程监视控制。
● 具备控制箱在线UPS功能及停电断点保护程序。
● 具备多点温度补偿功能。
● 具备多种故障报警及互锁功能。
● 具备手动/自动，自主切换功能。
● 软硬件具备轴向温度标定及检测功能。
● 设备支持GEM/SECS/MES控制集成全自动化功能。
● 预留真空功能。
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