低压气相沉积LPCVD
主要用于在低压环境下通过化学反应在晶圆表面沉积高质量薄膜，可沉积多晶硅(Poly-Si)、TEOS工艺、氮化硅(Si3N4)工艺、低应力氮化硅工艺、氧化硅(SiO2)工艺、BPSG工艺、LTO工艺、HTO工艺、SIPOS工艺、BSG工艺、PSG等工艺
主要参数
● 管数：1-4管 （用户定制）
● 适用硅片尺寸：2-8英寸（采用兼容性设计）
● 沉积温度范围：300-950℃
● 控温精度：±0.5℃
● 工作压力：100-300mtorr
● 极限压力：1mtorr
● 泄漏率：1mtorr/min
● 沉积速率：1-15 nm/min（取决于材料和工艺条件）
● 薄膜均匀性：片内/片间/批间均匀性+1%
● 气体系统高精度质量流量计(MFC)控制反应气体(如SiH4、DCS、NH3、N2O等)，尾气处理系统(Scrubber)集成）。
核心技术优势
高质量薄膜
● 低压环境(100-300 mtorr)减少气相反应,提升薄膜致密性、均匀性(厚度均匀性可达+1%以内。
优异阶梯覆盖能力
● 适合高深宽比结构(如沟槽、孔洞)的均匀镀膜，避免边缘效应。
材料适应性广
● 支持多种材料沉积(如硅片、玻璃、陶瓷、金属衬底等)，工艺参数灵活可调。
全自动化控制
● 实现设备状态实时监控、远集成了SECS/GEM 标准通信接口，可无缝对接工厂自动化系统程参数调控以及生产数据的高效交互，为智能制造提供坚实保障。
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