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布里奇曼晶体生长炉

应用于氟化钙、氟化镁、铌酸锂、钽酸锂等光学晶体及碘化钠、碘化铯、锗酸铋等闪烁晶体还可用于生长金属卤化物钙钛矿等新型晶体材料。

单晶炉

应用于生长如钇铝石榴石(YAG)、掺钛蓝宝石等激光晶体和光学窗口的单晶材料,如氟化钙、氟化镁以及新型单晶材料的生长工艺和性能。通过改变生长参数,如温度、压力、气氛等,研究单晶材料的生长机制和性能变化规律,为开发具有特殊物理、化学性质的新材料提供基础,推动材料科学的前沿研究。

无氧烘箱

无氧烘箱,半导体的无尘烘干等工艺。设备运行时,腔室内设定含量,系统根据腔室内的含氧量自动开启N2将腔室内的含氧量控制在设定范围内,防止材料在烘烤时被氧化。

真空蒸馏炉(用于硒、铟)

本设备专为硒、铟、锑、碲、锗等稀散金属真空蒸馏提纯作业设计,核心功能是通过精准控制蒸馏过程中的温度、真空度、加热速率等关键工艺参数,实现粗硒中各类杂的高效、精准分离,最终制备出6N级(99.9999%)高纯材料。产品可广泛应用于半导体、光伏、电子元器件、光学材料等高端行业,满足相关领域对高纯硒的严苛应用需求。

卷对卷薄膜连续生长CVD

石墨烯薄膜生产能力(产业化)设备,宽幅卷对卷连续生长,APC系统:真空蝶阀自动控制,碳源等工艺气体MFC控制,薄膜制备过程全自动控制,三腔室结构。

宽幅卷对卷薄膜连续生长炉

石墨烯薄膜产能(产业化)设备,宽幅卷对卷连续生长,配备自动纠偏,张力可连续调整,薄膜制备过程的全自动化控制。

单壁碳纳米管生长设备

本设备主要基于化学气相沉积原理运作。在此过程中,含碳气体(如甲、乙炔等)作为碳源,在高温和催化剂的作用下分解,碳原子在催化剂表面发生化学反应并逐渐沉积进而生长形成单壁碳纳米管。

真空氢气炉/退火炉/烧结炉

应用于航空航天、电真空、热处理行业;可完成对铜、钛、钨、钼、铝箔、高速钢、不锈钢及蒙乃尔合金、坡莫合金等材料进行退火处理。对各种电真空器件的烧结、钎焊工艺。陶瓷材料、磁性材料和稀有难熔金属等材料进行还原、烧结、退火和表面处理等工艺需要。

闭管软着陆扩散系统

用于掺杂(如硼、磷扩散)、氧化、退火等工艺,采用先进的控制算法和精密的硬件设备能够实现对杂质扩散深度、浓度分布的高精度控制。相比传统扩散方法,其扩散精度更高,可重复性更好,从而提高产品的良品率和性能一致性。

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