区熔炉
应用于半导体稀有金属提纯，如锗(Ge)、锑(Sb)、铋(Bi)等，区熔炉可利用杂质在固相和液相中溶解度的差异，通过多次区熔，将杂质集中在材料的特定区域，从而实现稀有金属的提纯。提纯后的稀有金属可用于制造特殊合金、半导体电子器件以及化工催化剂等。
主要参数
● 加热方式：感应加热
● 温度范围：500-1200℃
● 温度控制精度：±1℃
● 熔化区长度：500mm
● 移动速度：
慢速：0.1-200mm/h
快速：10-500mm/min
● 真空度：
配置机械泵：2Pa
配置分子泵：5×10⁻³pa
● 单管处理量：20kg
● 单台炉管数量：2-8根（用户可定制）
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