立式扩散炉
主要用于集成电路、功率器件、MEMS、VCSEL等半导体器件的生产制造，主要功能在晶圆上进行扩散、氧化、退火等工艺，实现杂质的精确掺杂，构建晶体管、电阻、电容等元件，如制造28nm及以上节点的集成电路。
主要参数
● 工艺尺寸：适用于8英寸晶圆
● 工作温度：通常在200℃至1300℃
● 恒温区长度：一般有450mm、600mm、800mm、1100mm等多种规格
● 恒温区精度：高于±0.5℃
● 单点温度稳定性：在600℃至1300℃范围内，可达±0.5℃/24 h
核心技术优势
● 自动化程度高：相比卧式扩散炉更易实现自动化操作，能与天车(OHT)自动化系统配合，通过机械手等装置实现晶圆的自动上下料和传输，提高生产效率，减少人工操作带来的误差和污染。
● 颗粒控制好：石英舟垂直于水平面，可减少颗粒沾污，相比水平扩散炉，在工艺过程中，更有利于保持炉内环境的洁净度，降低颗粒对晶圆的污染，提高产品良率。
● 温度控制精准：具有高精度的温度场控制技术，能够更好地控制温度均匀性，确保晶圆上各点的工艺参数一致性，有利于提高工艺的重复性和产品质量。
● 运行安全性高：结构设计使得操作人员在上下料和维护过程中，接触高温部件和危险气体的风险相对较低，提高了操作的安全性。
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