产品中心

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立式扩散炉

立式扩散炉

主要用于集成电路、功率器件、MEMS、VCSEL等半导体器件的生产制造，主要功能在晶圆上进行扩散、氧化、退火等工艺，实现杂质的精确掺杂，构建晶体管、电阻、电容等元件，如制造28nm及以上节点的集成电路。

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扩散炉

扩散炉

主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件的掺杂、氧化、退火、合金及烧结等工艺，控制半导体材料的杂质分布与电特性;同时支持光电器件的热扩散、氧化工艺和高校及科研机构的微电子工艺实验教学，如热氧化、热扩散等课程设计。

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闭管软着陆扩散系统

闭管软着陆扩散系统

用于掺杂(如硼、磷扩散)、氧化、退火等工艺，采用先进的控制算法和精密的硬件设备能够实现对杂质扩散深度、浓度分布的高精度控制。相比传统扩散方法，其扩散精度更高，可重复性更好，从而提高产品的良品率和性能一致性。

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低压气相沉积LPCVD

低压气相沉积LPCVD

主要用于在低压环境下通过化学反应在晶圆表面沉积高质量薄膜，可沉积多晶硅(Poly-Si)、氮化硅(Si3N4)薄膜、氧化硅(SiO2)薄膜、BPSG薄膜、LTO薄膜 、HTO薄膜、SIPOS薄膜、BSG薄膜、PSG薄膜等工艺

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合金炉

合金炉

串级温控系统，恒温区高精度；具有高抗干扰能力；具有多种工艺管路，可供用户随意灵活配置；支持SECS/GEM通信。

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退火炉

退火炉

工艺曲线的自动运行控制功能；智能升降温斜率控制功能；可存储多组PID参数供系统运行调用功能；系统故障的检测与报警功能。

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真空合金炉

真空合金炉

炉体移动：自动控制（炉体具有移开腔室自动关门功能）；工作温度范围：300~1000℃；温度区：>300mm；温度区域精度：±1℃。

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无氧烘箱

无氧烘箱

无氧烘箱，半导体的无尘烘干等工艺。设备运行时，腔室内设定含量，系统根据腔室内的含氧量自动开启N2将腔室内的含氧量控制在设定范围内，防止材料在烘烤时被氧化。

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液相外延炉

液相外延炉

LPE设备(Liquid Phase Epitaxial)是一种在液相中生长薄膜晶体的设备主要用于化合物外延膜的液相外延生长，YIG、RIG磁光铁氧体单晶材料生长等是光电子器件研制、生产中的关键工艺装备。

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布里奇曼晶体生长炉

布里奇曼晶体生长炉

应用于氟化钙、氟化镁、铌酸锂、钽酸锂等光学晶体及碘化钠、碘化铯、锗酸铋等闪烁晶体还可用于生长金属卤化物钙钛矿等新型晶体材料。

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