真空蒸馏炉（用于硒、铟）

本设备专为硒、铟、锑、碲、锗等稀散金属真空蒸馏提纯作业设计，核心功能是通过精准控制蒸馏过程中的温度、真空度、加热速率等关键工艺参数，实现粗硒中各类杂的高效、精准分离，最终制备出6N级（99.9999%）高纯材料。产品可广泛应用于半导体、光伏、电子元器件、光学材料等高端行业，满足相关领域对高纯硒的严苛应用需求。

主要参数

参数名称	指标要求	备注
运行方式	间断运行	采用单炉次间断运行模式，每炉次完整完成装料、抽真空、加热蒸馏、冷却、出料全流程，适配小批量、精硒提纯需求，便于灵活调整工艺参数，保障产品质量。
处理量	100-300 kg / 炉次	可根据原料纯度等级、产品质量要求及生产效率需求，在100kg/炉次的范围内灵活调整装炉量，调整后仍能保证杂质分离彻底、产品纯度达标。
总装机功率	≤ 180 kW	总装机功率包含加热系统、真空系统、电控系统及其他辅助组件的全部功率，设备采用节能设计，在保证生产效率的同时，有效降低能耗，符合绿色生产理念。
加热方式	中频感应加热	加热温度范围为300-1600℃，温度控制精度达到±5℃，升温速率可根据工艺需求进行调节，加热均匀性好，冷却快，可有效避免局部过热导致元素氧化或杂质分离不彻底的问题。
工作真空度	≤ 10-4 Pa	真空系统响应迅速，启动后可快速将炉内真空度抽至设定值，且能长期稳定维持≤10-4Pa的工作真空度，真空度可实时监测、自动调节，确保杂质分离效果及产品纯度。
充气功能	支持充气调节	可通入氩气、氮气等惰性保护气氛，充气速率及流量可通过控制系统精准调节，充气至设定目标压力后设备自动停止充气，有效防止蒸馏过程中硒元素氧化，保障产品品质。
工艺编辑方式	自定义编辑	工艺流程可根据原料杂质种类、杂质含量及产品纯度要求进行自定义编辑，编辑完成后可进行命名、保存，后续生产可直接调用存储的工艺流程，适配不同工况及生产需求，提升生产效率。
控制方式	PC+PLC	采用PC+PLC联合控制方式，实现蒸馏工艺全流程自动化控制，可实时监测加热温度、真空度、冷却水流量等关键参数，具备异常报警、故障排查提示功能，降低人为操作强度，提升生产稳定性。
冷却循环水量	50 m³/h	冷却水供水压力需稳定在0.2–0.3 MPa，充足的冷却水量可确保设备各发热组件（如加热线圈、炉体、真空泵等）有效冷却，避免设备过热损坏，保障设备长期稳定运行。
冷却水进水温度	< 25℃	冷却水进水温度需保持稳定，不得超过25℃，避免因进水温度过高影响冷却效果，导致设备组件过热，进而影响设备使用寿命及生产连续性。
冷却水回水温度	< 30℃	冷却水回水温度需控制在30℃以内，确保冷却系统循环效率，避免因回水温度过高导致冷却能力下降，保障设备各组件的冷却效果，维持设备正常运行。