石墨烯薄膜设备
晶圆薄膜静态生长立式CVD。
主要参数（可按要求定制计）
● 腔室直径：250mm
● 恒温区：400mm
● 工艺管材质：SlC/石英
● 极限真空：<3Pa
● 工艺温度：1020~1050℃
主要特点
● 石墨烯薄膜晶圆生长产能(产业化)设备
● APC系统：真空蝶阀自动控制
● 碳源等工艺气体MFC控制
● 控制薄膜制备过程全自动控制
● 快速冷却
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