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真空蒸馏炉在半导体高纯材料领域规模化应用，助力 7N 级超高纯铟 / 锑量产

2026-04-27

       随着先进制程对材料纯度要求逼近物理极限，真空蒸馏炉已成为半导体高纯金属制备的核心装备。国内青岛赛瑞得伟创等企业的新一代真空蒸馏炉，在半导体靶材、外延材料领域实现大规模替代进口，支撑 7N 级（99.99999%）超高纯铟、锑、碲的稳定量产。
       该类设备采用高真空（10⁻⁴Pa 级）+ 多区精准控温 + 梯度冷凝技术，可深度脱除氧、碳、砷等痕量杂质，杂质总含量控制在 0.1ppb 以下。某头部晶圆厂引入国产碲真空蒸馏炉后，碲纯度从 99.9% 提升至 99.999%，芯片良率提升 18%，年降本超 200 万元。目前，国产设备已覆盖国内 80% 以上高纯金属产能，打破海外垄断，为先进封装、红外探测、5G 射频芯片提供关键材料保障。

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